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口頭

Surface chemistry experimental station at Soft X-ray beamline (BL23SU) in SPring-8

吉越 章隆

no journal, , 

放射光を使ったXPSは、半導体製造プロセスや触媒反応など表面化学反応のリアルタイム観察に強力な手法である。本シンポジウムでは、IV族半導体単結晶表面の酸化機構の研究を例として紹介し、SPring-8の軟X線ビームライン(BL23SU)の表面化学実験ステーションにおける研究活動および潜在的な利用研究への応用の可能性などを議論したい。

口頭

Evaluation of C$$_{60}$$ thin film as selective absorbent for cesium isotope separation using X-ray photoelectron spectroscopy

関口 哲弘; 横山 啓一; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人; 矢野 雅大; 矢板 毅

no journal, , 

長寿命放射性核種であるセシウム-135($$^{135}$$Cs)の除去に向け、Cs元素の同位体分離技術の確立は必要不可欠である。レーザー光分解による同位体分離過程において、$$^{135}$$Cs原子が選択的に生成される。同位体分離を実現するためには、Cs原子($$^{135}$$Cs)とヨウ化セシウム分子($$^{133}$$CsI)との衝突による同位体交換を防がなければならない。そのため、我々はCs原子を選択的に吸蔵し、CsI分子を吸蔵しない炭素材料の候補としてフラーレン分子(C$$_{60}$$)固体を検討している。C$$_{60}$$固体にCs原子およびCsI分子がどの程度材料深部へ吸蔵されるかについて、放射光X線励起による角度分解X線光電子分光法を用い、深さ分析を行い評価した。CsI分子がC$$_{60}$$固体表面の浅い領域に堆積するのに対し、Cs原子はC$$_{60}$$固体内に浸透する実験結果が得られた。Cs同位体分離のための選択吸蔵材料としてフラーレン固体が有望であることが見出された。

口頭

Development of combination of temperature-programmed reaction and X-ray absorption fine structure (TPR-XAFS) for surface chemistry

松村 大樹; 辻 卓也; 岡島 由佳*; 西畑 保雄

no journal, , 

Metal nanoparticles have been widely used as heterogeneous catalysts because of their large specific surface area. However, they are also expected to show peculiar performance originated in the nanometer scale, which is sensitive to the change of atmosphere and temperature. We have developed the combination observation system of temperature-programmed reaction (TPR) which shows performance of nanoparticles and X-ray absorption fine structure (XAFS) which has element selectivity. The TPR-XAFS technique was applied for water formation reaction on Pt metal nanoparticle catalysts. We have demonstrated that the feature of TPR-XAFS technique for understanding surface chemistry.

口頭

Electron and core-hole dynamics probed by Auger electron spectroscopy

池浦 広美*; 関口 哲弘

no journal, , 

放射光X線を使ったX線吸収端近傍構造(NEXAFS)法、深い内殻の共鳴オージェ電子分光法、内殻正孔時計法を用いた 超高速電子移動の動的計測による薄膜評価法に関する報告である。デオキシリボース核酸鎖状分子及びリン酸分子を例として挙げ、放射光X線励起オージェスペクトルの測定データの解析により固体材料の伝導帯における高速電子移動の実時間が評価されることを示した。

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